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產(chǎn)品參數(shù)：

技術(shù)系列：低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（LVC）
電源電壓最小值（伏）：1.65
電源電壓最大值（伏）：5.5
通道數(shù)量：4
每個(gè)通道的輸入數(shù)量：2
最大灌電流（毫安）：32
最大拉電流（毫安）：-32
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）
輸出類型：推挽式
特性：過壓耐受輸入、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）低功耗、部分掉電（Ioff）
等級(jí)：產(chǎn)品目錄級(jí)別
工作溫度范圍（攝氏度）：-40 至 125
封裝/引腳/參數(shù)：

EM74LVC86AD 采用 SOP-14L 封裝，即塑料小外形封裝，有 14 個(gè)引腳，本體寬度為 3.9 毫米。
EM74LVC86APW 采用 TSSOP-14L 封裝，即塑料薄型收縮小外形封裝，有 14 個(gè)引腳，本體寬度為 4.4 毫米。
特性：

*電源電壓范圍寬，從 1.2 伏到 5.5 伏
*輸入可耐受高達(dá) 5.5 伏的過電壓
*采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)，功耗低
*抗閂鎖性能超過 100 毫安
*可與晶體管 - 晶體管邏輯（TTL）電平直接連接
*IOFF 電路可實(shí)現(xiàn)部分掉電模式操作
*符合電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）標(biāo)準(zhǔn)：
*JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
*JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
*JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏）
*JESD36（4.5 伏至 5.5 伏）
*靜電放電（ESD）保護(hù)：
*人體放電模式（HBM）符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) / 電子器件靜電放電協(xié)會(huì) / 電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-001 的 3A 級(jí)，超過 6000 伏
*帶電裝置模式（CDM）符合美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì) / 電子器件靜電放電協(xié)會(huì) / 電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（ANSI/ESDA/JEDEC）標(biāo)準(zhǔn) JS-002 的 C3 級(jí)，超過 2000 伏
*有多種封裝可供選擇
說明：

EM74LVC86A 是一款四通道 2 輸入異或門芯片。其輸入可由 3.3V 或 5V 的器件驅(qū)動(dòng)。這一特性使得這些器件能夠在 3.3V 和 5V 混合應(yīng)用中用作電平轉(zhuǎn)換器。所有輸入的施密特觸發(fā)功能使電路能夠耐受較慢的輸入上升和下降時(shí)間。該器件針對(duì)使用 IOFF 功能的部分掉電應(yīng)用進(jìn)行了完整的規(guī)格定義。IOFF 電路會(huì)禁用輸出，以防止在器件斷電時(shí)出現(xiàn)可能會(huì)造成損壞的反向電流通過器件。